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Tipo
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Monocristalino
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N.º de Modelo
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QWBDM132-650
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QWBDM132-655
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QWBDM132-660
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QWBDM132-665
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QWBDM132-670
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Garantía del Producto
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15 Años
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Garantía de Energía
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10 años de 93,95 %, 30 años de 84,95 %
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Tasa de Degradación Total ⏳
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0,5 %
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Tolerancia de Potencia
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0 ~ +0.5 %
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima (Pmax)
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650 Wp
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655 Wp
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660 Wp
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665 Wp
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670 Wp
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia (Vmax)
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37,88 V
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38,08 V
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38,28 V
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38,48 V
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38,68 V
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Corriente en el Punto de Máxima Potencia (Imax)
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17,196 A
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17,21 A
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17,25 A
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17,29 A
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17,33 A
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Tensión en Circuito Abierto (Voc)
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44,95 V
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45,15 V
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45,35 V
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45,55 V
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45,75 V
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Corriente de Cortocircuito (Isc)
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18,16 A
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18,16 A
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18,19 A
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18,25 A
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18,312 A
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Eficiencia
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20,9 %
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21,1 %
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21,2 %
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21,4 %
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21,6 %
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Características Eléctricas en NOCT
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Potencia Máxima (Pmax)
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490 Wp
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494 Wp
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497 Wp
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501 Wp
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505 Wp
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia (Vmax)
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34,37 V
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34,52 V
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34,74 V
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34,83 V
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34,98 V
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Corriente en el Punto de Máxima Potencia (Imax)
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13,84 A
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13,89 A
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13,92 A
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13,95 A
|
13,98 A
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Tensión en Circuito Abierto (Voc)
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35,39 V
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35,56 V
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35,75 V
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35,93 V
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36,12 V
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Corriente de Cortocircuito (Isc)
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14,65 A
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14,65 A
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14,7 A
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14,72 A
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14,77 A
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Temperatura Nominal de Operación
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42±2 °C
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Rango de Temperatura
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-40 - 85 °C
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,34 %/°C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,26 %/°C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,05 %/°C
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Tensión Máxima del Sistema
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1500 V
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Limite de Corriente
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35 A
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Dimensiones (A/A/F)
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2384x1303x30 mm
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Peso
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38,5 kg
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Tamaño de las Células
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210×105 mm
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Numero de Células
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132
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Tipo de Vidrio
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Templado
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Grosor de Vidrio
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2 mm
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Tipo de Trama
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Aluminio Anodizado
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No. de Diodos Bypass Incorporados
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3
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Caja de Proteccion de Uniones
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IP 68
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Tipo de Conector
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MC4
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Corte Transversal del Cable
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4 mm2
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Descargar pdf del Fabricante
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