No. de Modelo
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M156-C (R200) 3,9
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M156-C (R200) 3,97
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M156-C (R200) 4,02
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M156-C (R200) 4,07
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M156-C (R200) 4,12
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M156-C (R200) 4,16
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M156-C (R200) 4,21
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M156-C (R200) 4,27
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M156-C (R200) 4,37
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M156-C (R200) 4,42
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Características del Producto
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Tecnología células
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Monocristalino
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Dimensiones
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156×156 mm
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Diagonal
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200±0,5 mm
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Espesor de Celda
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200 ± 20 µm
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Superficie Frontal (-)
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Núm. de Barras Colectoras
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3
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Ancho de la Barra Colectora
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1,6 mm
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Material de la Barra Colectora
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Plata
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Núm. De Puntos de Soldadura
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3
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Ancho del Punto de Soldadura
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2,4 mm
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Material del Punto de Soldadura
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Plata
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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3,9 W
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3,97 W
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4,02 W
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4,07 W
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4,12 W
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4,16 W
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4,21 W
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4,27 W
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4,37 W
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4,42 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,498 V
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0,5 V
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0,504 V
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0,507 V
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0,511 V
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0,514 V
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0,519 V
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0,523 V
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0,529 V
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0,531 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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7,839 A
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7,948 A
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7,969 A
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8,037 A
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8,063 A
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8,103 A
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8,117 A
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8,167 A
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8,265 A
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8,315 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,612 V
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0,618 V
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0,619 V
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0,62 V
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0,622 V
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0,624 V
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0,6625 V
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0,627 V
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0,631 V
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0,633 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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8,649 A
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8,66 A
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8,675 A
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8,686 A
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8,688 A
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8,694 A
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8,699 A
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8,721 A
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8,763 A
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8,773 A
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Eficiencia de la Célula
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16-16,6 %
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16,6-16,8 %
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16,8-17,03 %
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17,03-17,24 %
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17,24-17,45 %
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17,45-17,66 %
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17,66-17,87 %
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17,87-18,08 %
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18,29-18,5 %
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18,5-18,7 %
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Factor de Llenado
(FF)
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73,75 %
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74,25 %
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74,79 %
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75,66 %
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76,29 %
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76,77 %
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77,48 %
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78,11 %
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79,06 %
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79,51 %
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