No. de Modelo
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DAS-NMAD9B 5,57
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DAS-NMAD9B 5,49
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DAS-NMAD9B 5,52
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DAS-NMAD9B 5,54
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DAS-NMAD9B 5,59
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DAS-NMAD9B 5,62
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DAS-NMAD9B 5,64
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DAS-NMAD9B 5,67
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DAS-NMAD9B 5,7
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DAS-NMAD9B 5,72
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DAS-NMAD9B 5,72
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DAS-NMAD9B 5,77
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Características del Producto
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Tecnología células
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Bifacial
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Dimensiones
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158,75×158,75 mm
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Espesor de Celda
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170 ± 20 µm
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Superficie Frontal (-)
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Ancho de la Barra Colectora
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0,06±0,01 mm
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Material de la Barra Colectora
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Plata
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Ancho del Punto de Soldadura
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0,06±0,01 mm
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Material del Punto de Soldadura
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Plata
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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0,57 W
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5,49 W
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5,52 W
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5,54 W
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5,59 W
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5,62 W
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5,64 W
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5,67 W
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5,7 W
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5,72 W
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5,75 W
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5,77 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,578 V
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0,575 V
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0,576 V
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0,577 V
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0,579 V
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0,58 V
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0,581 V
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0,582 V
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0,583 V
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0,584 V
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0,585 V
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0,586 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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9,583 A
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9,517 A
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9,545 A
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9,572 A
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9,594 A
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9,604 A
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9,631 A
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9,659 A
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9,686 A
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9,713 A
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9,739 A
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9,863 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,688 V
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0,685 V
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0,686 V
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0,687 V
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0,689 V
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0,69 V
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0,691 V
|
0,692 V
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0,693 V
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0,694 V
|
0,695 V
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0,696 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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10,126 A
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10,065 A
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10,09 A
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10,104 A
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10,131 A
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10,151 A
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10,165 A
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10,182 A
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10,192 A
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10,204 A
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10,219 A
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10,234 A
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Eficiencia de la Célula
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22,1 %
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21,8 %
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21,9 %
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22 %
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22,2 %
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22,3 %
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22,4 %
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22,5 %
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22,6 %
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22,7 %
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22,8 %
|
22,9 %
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Factor de Llenado
(FF)
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80,41 %
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79,99 %
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80,13 %
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80,27 %
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80,55 %
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80,69 %
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80,83 %
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80,97 %
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81,11 %
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81,25 %
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81,39 %
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81,53 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,35 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,3 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
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0,048 %/˚C
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PDF
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Descargar pdf del Fabricante
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