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No. de Modelo
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DAS-PMAD9B 5,39
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DAS-PMAD9B 5,42
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DAS-PMAD9B 5,44
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DAS-PMAD9B 5,47
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DAS-PMAD9B 5,49
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DAS-PMAD9B 5,52
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DAS-PMAD9B 5,54
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DAS-PMAD9B 5,57
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DAS-PMAD9B 5,59
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DAS-PMAD9B 5,62
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DAS-PMAD9B 5,64
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Características del Producto
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Tecnología células
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Bifacial
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Dimensiones
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158,75×158,75 mm
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Espesor de Celda
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180 ± 20 µm
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Superficie Frontal (-)
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Ancho de la Barra Colectora
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0,06±0,01 mm
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Material de la Barra Colectora
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Plata
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Ancho del Punto de Soldadura
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1,67±0,1 mm
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Material del Punto de Soldadura
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Plata
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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5,39 W
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5,42 W
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5,44 W
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5,47 W
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5,49 W
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5,52 W
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5,54 W
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5,57 W
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5,59 W
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5,62 W
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5,64 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,564 V
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0,565 V
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0,567 V
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0,569 V
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0,571 V
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0,572 V
|
0,573 V
|
0,574 V
|
0,575 V
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0,576 V
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0,577 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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9,603 A
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9,633 A
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9,643 A
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9,639 A
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9,651 A
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9,675 A
|
9,698 A
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9,722 A
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9,746 A
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9,771 A
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9,789 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,669 V
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0,67 V
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0,671 V
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0,672 V
|
0,673 V
|
0,674 V
|
0,675 V
|
0,676 V
|
0,677 V
|
0,678 V
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0,679 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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10,088 A
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10,102 A
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10,124 A
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10,129 A
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10,149 A
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10,163 A
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10,18 A
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10,19 A
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10,202 A
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10,217 A
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10,228 A
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Eficiencia de la Célula
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21,4 %
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21,5 %
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21,6 %
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21,7 %
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21,8 %
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21,9 %
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22 %
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22,1 %
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22,2 %
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22,3 %
|
22,4 %
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Factor de Llenado
(FF)
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80,25 %
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80,41 %
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80,48 %
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80,57 %
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80,68 %
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80,79 %
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80,87 %
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81,01 %
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81,14 %
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81,25 %
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81,33 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,38 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,31 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
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0,048 %/˚C
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€0,145 / Wp
€0,0626 / Wp
€0,058 / Wp
€0,0608 / Wp