Black Silicon Cell(5BB)

Ningbo Fullstar Solaris Co., Ltd.
Factor de Llenado
79,9 - 80,01 %
Eficiencia de la Célula
19 - 19,6 %
Tecnología
Policristalino
Gama de Potencia
4,668 - 4,816 Wp
Región
China China
Dimensiones
156.75×156.75 mm
Espesor de la Célula
200 ± 20 µm
Núm. de Barras Colectoras
5
Ancho de la Barra Colectora
0.7±0.1 mm
Núm. De Puntos de Soldadura
5
Ancho del Punto de Soldadura
1.7±0.1 mm
Material del Punto de Soldadura
Plata
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Características del Producto

N.º de Modelo
4,668W 4,693W 4,718W 4,742W 4,767W 4,791W 4,816W
Tecnología células Policristalino
Dimensiones 156,75×156,75 mm
Espesor de la Célula 200 ± 20 µm
 
Núm. de Barras Colectoras 5
Ancho de la Barra Colectora 0,7±0,1 mm
Material de la Barra Colectora Plata
Capa Anti Reflectante Nitruro de Silicio
 
Núm. De Puntos de Soldadura 5
Ancho del Punto de Soldadura 1,7±0,1 mm
Material del Punto de Soldadura Plata
Superficie de la Cara Posterior (BSF) Aluminio
 
Potencia Máxima (Pmax)
4,668 W 4,693 W 4,718 W 4,742 W 4,767 W 4,791 W 4,816 W
Tensión en el Punto de Máxima Potencia (Vmpp)
0,545 V 0,547 V 0,548 V 0,55 V 0,552 V 0,561 V 0,562 V
Corriente en el punto de máxima potenci (Impp)
8,565 A 8,58 A 8,609 A 8,622 A 8,636 A 8,665 A 8,687 A
Tensión en Circuito Abierto (Voc)
0,643 V 0,645 V 0,647 V 0,649 V 0,651 V 0,662 V 0,663 V
Corriente de cortocircuito (Isc)
9,079 A 9,094 A 9,126 A 9,139 A 9,154 A 9,185 A 9,208 A
Eficiencia de la Célula
19 % 19,1 % 19,2 % 19,3 % 19,4 % 19,5 % 19,6 %
Factor de Llenado (FF)
79,96 % 80,01 % 79,9 % 79,95 % 79,99 % 79,95 % 79,97 %
 
Coeficiente de Temperatura de Pmax -0,36 %/˚C
Coeficiente de Temperatura de Voc -0,36 %/˚C
Coeficiente de Temperatura de Isc 0,06 %/˚C
Dependientes de la Intensidad
Intensidad
Voc
Vmpp
1000 W/m2
1
--
900 W/m2
0,99
--
800 W/m2
0,99
--
500 W/m2
0,97
--
300 W/m2
0,94
--
200 W/m2
0,91
--
 
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Ningbo Fullstar Solaris Co., Ltd.

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www.fullstar.hk
China China
No. 66, Haichuan Road, Jiangbei, Ningbo, Zhejiang, 315032
Empresa Madre: Fuxing Group
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