|
No. de Modelo
|
|
THSP3-156,75-3BB-17,6
|
THSP3-156,75-3BB-17,7
|
THSP3-156,75-3BB-17,8
|
THSP3-156,75-3BB-17,9
|
THSP3-156,75-3BB-18,0
|
THSP3-156,75-3BB-18,1
|
|
|
Características del Producto
|
|
|
Tecnología células
|
Policristalino
|
|
Dimensiones
|
156×156 mm
|
|
Diagonal
|
219 mm
|
|
Espesor de Celda
|
200 ± 20 µm
|
|
Superficie Frontal (-)
|
|
|
Núm. de Barras Colectoras
|
3
|
|
Ancho de la Barra Colectora
|
1,4 mm
|
|
Material de la Barra Colectora
|
Plata
|
|
Capa Anti Reflectante
|
Nitruro de Silicio
|
|
Superficie Posterior (+)
|
|
|
Núm. De Puntos de Soldadura
|
3
|
|
Ancho del Punto de Soldadura
|
2,5 mm
|
|
Material del Punto de Soldadura
|
Plata, Aluminio
|
|
Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
|
Aluminio
|
|
Características Eléctricas en STC
|
|
|
Potencia Máxima
(Pmax)
|
|
4,28 W
|
4,31 W
|
4,33 W
|
4,36 W
|
4,38 W
|
4,4 W
|
|
|
Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
|
|
0,52 V
|
0,523 V
|
0,525 V
|
0,527 V
|
0,528 V
|
0,529 V
|
|
|
Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
|
|
8,231 A
|
8,241 A
|
8,248 A
|
8,273 A
|
8,295 A
|
8,318 A
|
|
|
Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
|
|
0,614 V
|
0,617 V
|
0,62 V
|
0,622 V
|
0,623 V
|
0,624 V
|
|
|
Corriente de cortocircuito
(Isc)
|
|
8,725 A
|
8,735 A
|
8,742 A
|
8,77 A
|
8,793 A
|
8,817 A
|
|
|
Eficiencia de la Célula
|
|
17,6 %
|
17,7 %
|
17,8 %
|
17,9 %
|
18,0 %
|
18,1 %
|
|
|
Factor de Llenado
(FF)
|
|
79,9 %
|
79,97 %
|
79,89 %
|
79,93 %
|
79,95 %
|
79,98 %
|
|
|
Características Térmicas
|
|
|
Coeficiente de Temperatura de Pmax
|
-0,42 %/˚C
|
|
Coeficiente de Temperatura de Voc
|
-0,33 %/˚C
|
|
Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,005 %/˚C
|
