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No. de Modelo
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TSS65TN-Ecell 4,59
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TSS65TN-Ecell 4,64
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TSS65TN-Ecell 4,69
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TSS65TN-Ecell 4,74
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TSS65TN-Ecell 4,79
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TSS65TN-Ecell 4,91
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TSS65TN-Ecell 4,84
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TSS65TN-Ecell 4,86
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TSS65TN-Ecell 4,89
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TSS65TN-Ecell 4,91
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TSS65TN-Ecell 4,94
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Características del Producto
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Tecnología células
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Monocristalino
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Dimensiones
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156,75×156,75 mm
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Diagonal
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217 mm
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Espesor de Celda
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180/200 µm
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Superficie Frontal (-)
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Núm. de Barras Colectoras
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5
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Ancho de la Barra Colectora
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0,8±0,1 mm
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Núm. De Puntos de Soldadura
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5
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Ancho del Punto de Soldadura
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1,3±0,15 mm
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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4,59 W
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4,64 W
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4,69 W
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4,74 W
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4,79 W
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4,81 W
|
4,84 W
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4,86 W
|
4,89 W
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4,91 W
|
4,94 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,534 V
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0,538 V
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0,542 V
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0,546 V
|
0,548 V
|
0,549 V
|
0,55 V
|
0,551 V
|
0,553 V
|
0,555 V
|
0,557 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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8,602 A
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8,632 A
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8,661 A
|
8,689 A
|
8,732 A
|
8,769 A
|
8,793 A
|
8,818 A
|
8,839 A
|
8,848 A
|
8,853 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,624 V
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0,626 V
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0,633 V
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0,637 V
|
0,64 V
|
0,64 V
|
0,641 V
|
0,642 V
|
0,644 V
|
0,646 V
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0,649 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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9,089 A
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9,159 A
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9,179 A
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9,199 A
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9,243 A
|
9,267 A
|
9,289 A
|
9,313 A
|
9,336 A
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9,346 A
|
9,359 A
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Factor de Llenado
(FF)
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80,99 %
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81 %
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80,79 %
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80,96 %
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80,89 %
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81,17 %
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81,22 %
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81,26 %
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81,3 %
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81,34 %
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81,18 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,42 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,33 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,05 %/˚C
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PDF
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Descargar pdf del Fabricante
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