|
No. de Modelo
|
|
TSM64TN 4,28
|
TSM64TN 4,32
|
TSM64TN 4,37
|
TSM64TN 4,42
|
TSM64TN 4,47
|
TSM64TN 4,52
|
TSM64TN 4,57
|
TSM64TN 4,62
|
|
|
Características del Producto
|
|
|
Tecnología células
|
Policristalino
|
|
Dimensiones
|
156×156 mm
|
|
Diagonal
|
217 mm
|
|
Espesor de Celda
|
180/200 µm
|
|
Superficie Frontal (-)
|
|
|
Núm. de Barras Colectoras
|
4
|
|
Ancho de la Barra Colectora
|
1,1±0,15 mm
|
|
Capa Anti Reflectante
|
Nitruro de Silicio
|
|
Superficie Posterior (+)
|
|
|
Núm. De Puntos de Soldadura
|
4
|
|
Ancho del Punto de Soldadura
|
2,1±0,15 mm
|
|
Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
|
Aluminio
|
|
Características Eléctricas en STC
|
|
|
Potencia Máxima
(Pmax)
|
|
4,28 W
|
4,32 W
|
4,37 W
|
4,42 W
|
4,47 W
|
4,52 W
|
4,57 W
|
4,62 W
|
|
|
Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
|
|
0,523 V
|
0,524 V
|
0,525 V
|
0,529 V
|
0,532 V
|
0,536 V
|
0,54 V
|
0,543 V
|
|
|
Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
|
|
8,17 A
|
8,223 A
|
8,338 A
|
8,365 A
|
8,412 A
|
8,441 A
|
8,471 A
|
8,509 A
|
|
|
Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
|
|
0,626 V
|
0,627 V
|
0,628 V
|
0,629 V
|
0,63 V
|
0,633 V
|
0,636 V
|
0,64 V
|
|
|
Corriente de cortocircuito
(Isc)
|
|
8,637 A
|
8,692 A
|
8,817 A
|
8,836 A
|
8,892 A
|
8,924 A
|
8,957 A
|
8,989 A
|
|
|
Eficiencia de la Célula
|
|
17,4 %
|
17,6 %
|
17,8 %
|
18 %
|
18,2 %
|
18,4 %
|
18,6 %
|
18,8 %
|
|
|
Factor de Llenado
(FF)
|
|
79,03 %
|
79,06 %
|
79,06 %
|
79,62 %
|
79,89 %
|
80,09 %
|
80,3 %
|
80,31 %
|
|
|
Características Térmicas
|
|
|
Coeficiente de Temperatura de Pmax
|
-0,38 %/˚C
|
|
Coeficiente de Temperatura de Voc
|
-0,31 %/˚C
|
|
Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,05 %/˚C
|
|
PDF
|
|
|
Descargar pdf del Fabricante
|
|
€0,144 / Wp
€0,0622 / Wp