No. de Modelo
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TSS65TN 4,94
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TSS65TN 4,98
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TSS65TN 5,03
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TSS65TN 5,06
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TSS65TN 5,08
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TSS65TN 5,11
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TSS65TN 5,13
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TSS65TN 5,16
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TSS65TN 5,18
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TSS65TN 5,20
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TSS65TN 5,23
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Características del Producto
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Tecnología células
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Monocristalino
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Dimensiones
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156×156 mm
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Diagonal
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208 mm
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Espesor de Celda
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180/200 µm
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Superficie Frontal (-)
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Núm. de Barras Colectoras
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5
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Ancho de la Barra Colectora
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0,7±0,1 mm
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Núm. De Puntos de Soldadura
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5
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Ancho del Punto de Soldadura
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2±0,15 mm
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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4,94 W
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4,98 W
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5,03 W
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5,06 W
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5,08 W
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5,11 W
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5,13 W
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5,16 W
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5,18 W
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5,2 W
|
5,23 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,547 V
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0,552 V
|
0,557 V
|
0,559 V
|
0,561 V
|
0,563 V
|
0,565 V
|
0,567 V
|
0,569 V
|
0,57 V
|
0,571 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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9,027 A
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9,031 A
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9,041 A
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9,051 A
|
9,059 A
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9,071 A
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9,084 A
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9,097 A
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9,104 A
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9,129 A
|
9,156 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,648 V
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0,654 V
|
0,659 V
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0,661 V
|
0,663 V
|
0,665 V
|
0,666 V
|
0,667 V
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0,671 V
|
0,67 V
|
0,671 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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9,57 A
|
9,572 A
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9,587 A
|
9,598 A
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9,608 A
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9,616 A
|
9,626 A
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9,636 A
|
9,646 A
|
9,654 A
|
9,675 A
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Eficiencia de la Célula
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20,2 %
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20,4 %
|
20,6 %
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20,7 %
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20,8 %
|
20,9 %
|
21 %
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21,1 %
|
21,2 %
|
21,3 %
|
21,4 %
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Factor de Llenado
(FF)
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79,62 %
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79,63 %
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79,71 %
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79,75 %
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79,78 %
|
79,86 %
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80,06 %
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80,25 %
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80,03 %
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80,45 %
|
80,53 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,38 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,3 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,043 %/˚C
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PDF
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