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No. de Modelo
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156-200M 3,943
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156-200M 4,002
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156-200M 4,062
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156-200M 4,098
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156-200M 4,134
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156-200M 4,17
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156-200M 4,206
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156-200M 4,241
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156-200M 4,277
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156-200M 4,313
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156-200M 4,349
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156-200M 4,384
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Características del Producto
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Tecnología células
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Monocristalino
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Dimensiones
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156×156 mm
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Diagonal
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200±1 mm
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Espesor de Celda
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210 ± 40 µm
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Superficie Frontal (-)
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Núm. de Barras Colectoras
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3
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Ancho de la Barra Colectora
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1,5 mm
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Material de la Barra Colectora
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Plata
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Núm. De Puntos de Soldadura
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3
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Ancho del Punto de Soldadura
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2,5 mm
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Material del Punto de Soldadura
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Plata
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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3,943 W
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4,002 W
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4,062 W
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4,098 W
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4,134 W
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4,17 W
|
4,206 W
|
4,241 W
|
4,277 W
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4,313 W
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4,349 W
|
4,384 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,51 V
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0,511 V
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0,512 V
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0,516 V
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0,517 V
|
0,519 V
|
0,521 V
|
0,523 V
|
0,524 V
|
0,525 V
|
0,526 V
|
0,526 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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7,731 A
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7,828 A
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7,933 A
|
7,938 A
|
8,004 A
|
8,039 A
|
8,073 A
|
8,116 A
|
8,161 A
|
8,216 A
|
8,263 A
|
8,333 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,625 V
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0,625 V
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0,625 V
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0,625 V
|
0,626 V
|
0,628 V
|
0,628 V
|
0,629 V
|
0,629 V
|
0,63 V
|
0,63 V
|
0,63 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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8,484 A
|
8,499 A
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8,531 A
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8,537 A
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8,622 A
|
8,633 A
|
8,657 A
|
8,678 A
|
8,713 A
|
8,741 A
|
8,789 A
|
8,877 A
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Eficiencia de la Célula
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16,5 %
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16,75 %
|
17 %
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17,15 %
|
17,3 %
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17,45 %
|
17,6 %
|
17,75 %
|
17,9 %
|
18,05 %
|
18,2 %
|
18,35 %
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Factor de Llenado
(FF)
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74,36 %
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75,31 %
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76,18 %
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76,77 %
|
76,67 %
|
76,96 %
|
77,37 %
|
77,76 %
|
78,03 %
|
78,33 %
|
78,5 %
|
78,38 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,47 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,35 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,024 %/˚C
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