5'' Mono

MOSPEC Semiconductor Corporation
Factor de Llenado
75,52 - 78,07 %
Eficiencia de la Célula
17 - 18,69 %
Tecnología
Monocristalino
Gama de Potencia
2,64 - 2,87 Wp
Región
Taiwan Taiwan
Dimensiones
125×125 mm
Espesor de la Célula
190 ± 30 µm
Núm. de Barras Colectoras
2
Ancho de la Barra Colectora
62 mm
Núm. De Puntos de Soldadura
2

Características del Producto

N.º de Modelo
5L 170 5L 171 5L 172 5L 173 5L 174 5L 175 5L 176 5L 177 5L 178 5L 179 5L180 5L 181 5L 182 5L 183 5L 184 5L 185 5L 186
Tecnología células Monocristalino
Dimensiones 125×125 mm
Diagonal 165±1 mm
Espesor de la Célula 190 ± 30 µm
 
Núm. de Barras Colectoras 2
Ancho de la Barra Colectora 62 mm
Capa Anti Reflectante Nitruro de Silicio
 
Núm. De Puntos de Soldadura 2
 
Potencia Máxima (Pmax)
2,64 W 2,65 W 2,66 W 2,68 W 2,7 W 2,72 W 2,73 W 2,75 W 2,77 W 2,78 W 2,8 W 2,81 W 2,82 W 2,83 W 2,85 W 2,86 W 2,87 W
Tensión en el Punto de Máxima Potencia (Vmpp)
0,514 V 0,515 V 0,516 V 0,517 V 0,519 V 0,519 V 0,52 V 0,523 V 0,524 V 0,525 V 0,525 V 0,525 V 0,526 V 0,526 V 0,527 V 0,527 V 0,528 V
Corriente en el punto de máxima potenci (Impp)
5,13 A 5,15 A 5,16 A 5,18 A 5,2 A 5,24 A 5,25 A 5,26 A 5,29 A 5,3 A 5,33 A 5,35 A 5,37 A 5,39 A 5,41 A 5,43 A 5,45 A
Tensión en Circuito Abierto (Voc)
0,628 V 0,628 V 0,628 V 0,629 V 0,63 V 0,63 V 0,63 V 0,631 V 0,632 V 0,632 V 0,633 V 0,633 V 0,634 V 0,634 V 0,634 V 0,636 V 0,638 V
Corriente de cortocircuito (Isc)
5,56 A 5,57 A 5,58 A 5,59 A 5,6 A 5,63 A 5,66 A 5,69 A 5,71 A 5,71 A 5,72 A 5,72 A 5,73 A 5,75 A 5,76 A 5,79 A 5,8 A
Eficiencia de la Célula
17-17,09 % 17,1-17,19 % 17,2-17,29 % 17,3-17,39 % 17,4-17,49 % 17,5-17,59 % 17,6-17,69 % 17,7-17,79 % 17,8-17,89 % 17,9-17,99 % 18-18,09 % 18,1-18,19 % 18,2-18,29 % 18,3-18,39 % 18,4-18,49 % 18,5-18,59 % 18,6-18,69 %
Factor de Llenado (FF)
75,52 % 75,82 % 75,98 % 76,17 % 76,5 % 76,67 % 76,56 % 76,62 % 76,81 % 77,1 % 77,28 % 77,57 % 77,75 % 77,77 % 78,07 % 77,71 % 77,76 %
 
Coeficiente de Temperatura de Pmax -0,45 %/˚C
Coeficiente de Temperatura de Voc -0,44 %/˚C
Coeficiente de Temperatura de Isc -0,044 %/˚C
Dependientes de la Intensidad
Intensidad
Voc
Vmpp
1000 W/m2
1
--
800 W/m2
0,989
--
500 W/m2
0,968
--
300 W/m2
0,946
--
 
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MOSPEC Semiconductor Corporation

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Taiwan Taiwan
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