No. de Modelo
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DAS-PM2S5B 5,2
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DAS-PM2S5B 5,23
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DAS-PM2S5B 5,25
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DAS-PM2S5B 5,28
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DAS-PM2S5B 5,3
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DAS-PM2S5B 5,33
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DAS-PM2S5B 5,35
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DAS-PM2S5B 5,38
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DAS-PM2S5B 5,4
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DAS-PM2S5B 5,42
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DAS-PM2S5B 5,45
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Características del Producto
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Tecnología células
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Monocristalino
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Dimensiones
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156,75×156,75 mm
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Diagonal
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210±0,25 mm
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Espesor de Celda
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180 ± 20 µm
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Superficie Frontal (-)
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Núm. de Barras Colectoras
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5
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Ancho de la Barra Colectora
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0,7±0,1 mm
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Núm. De Puntos de Soldadura
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5
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Ancho del Punto de Soldadura
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2±0,1 mm
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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5,2 W
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5,23 W
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5,25 W
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5,28 W
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5,3 W
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5,33 W
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5,35 W
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5,38 W
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5,4 W
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5,42 W
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5,45 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,563 V
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0,564 V
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0,565 V
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0,567 V
|
0,569 V
|
0,57 V
|
0,571 V
|
0,572 V
|
0,574 V
|
0,575 V
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0,576 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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9,247 A
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9,28 A
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9,292 A
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9,31 A
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9,325 A
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9,344 A
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9,365 A
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9,387 A
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9,399 A
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9,421 A
|
9,455 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,668 V
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0,669 V
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0,67 V
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0,671 V
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0,672 V
|
0,673 V
|
0,674 V
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0,675 V
|
0,676 V
|
0,677 V
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0,678 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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9,776 A
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9,8 A
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9,814 A
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9,835 A
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9,84 A
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9,859 A
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9,873 A
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9,889 A
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9,899 A
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9,91 A
|
9,925 A
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Eficiencia de la Célula
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21,3 %
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21,4 %
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21,5 %
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21,6 %
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21,7 %
|
21,8 %
|
21,9 %
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22 %
|
22,1 %
|
22,2 %
|
22,3 %
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Factor de Llenado
(FF)
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80,03 %
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80,19 %
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80,35 %
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80,42 %
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80,51 %
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80,62 %
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80,73 %
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80,81 %
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80,95 %
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81,08 %
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81,19 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,38 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,31 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
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0,048 %/˚C
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PDF
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Descargar pdf del Fabricante
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