No. de Modelo
|
DMTP3B157x157 4,32
|
DMTP3B157x157 4,35
|
DMTP3B157x157 4,37
|
DMTP3B157x157 4,4
|
DMTP3B157x157 4,42
|
DMTP3B157x157 4,45
|
DMTP3B157x157 4,47
|
DMTP3B157x157 4,5
|
DMTP3B157x157 4,52
|
DMTP3B157x157 4,54
|
|
Características del Producto
|
|
Tecnología células
|
Policristalino
|
Dimensiones
|
156,75×156,75 mm
|
Diagonal
|
220,2±0,5 mm
|
Espesor de Celda
|
220 ± 20 µm
|
Superficie Frontal (-)
|
|
Núm. de Barras Colectoras
|
3
|
Ancho de la Barra Colectora
|
1,5 mm
|
Material de la Barra Colectora
|
Plata
|
Capa Anti Reflectante
|
Nitruro de Silicio
|
Superficie Posterior (+)
|
|
Núm. De Puntos de Soldadura
|
3
|
Ancho del Punto de Soldadura
|
2 mm
|
Material del Punto de Soldadura
|
Plata
|
Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
|
Aluminio
|
Características Eléctricas en STC
|
|
Potencia Máxima
(Pmax)
|
4,32 W
|
4,35 W
|
4,37 W
|
4,4 W
|
4,42 W
|
4,45 W
|
4,47 W
|
4,5 W
|
4,52 W
|
4,54 W
|
|
Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
|
0,524 V
|
0,525 V
|
0,526 V
|
0,527 V
|
0,529 V
|
0,531 V
|
0,532 V
|
0,533 V
|
0,534 V
|
0,535 V
|
|
Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
|
8,244 A
|
8,286 A
|
8,308 A
|
8,349 A
|
8,355 A
|
8,38 A
|
8,402 A
|
8,442 A
|
8,464 A
|
8,486 A
|
|
Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
|
0,629 V
|
0,63 V
|
0,631 V
|
0,632 V
|
0,634 V
|
0,636 V
|
0,637 V
|
0,638 V
|
0,638 V
|
0,639 V
|
|
Corriente de cortocircuito
(Isc)
|
8,786 A
|
8,824 A
|
8,845 A
|
8,868 A
|
8,881 A
|
8,902 A
|
8,916 A
|
8,951 A
|
8,979 A
|
9,013 A
|
|
Eficiencia de la Célula
|
17,6-17,7 %
|
17,7-17,8 %
|
17,8-17,9 %
|
17,9-18 %
|
18-18,1 %
|
18,1-18,2 %
|
18,2-18,3 %
|
18,3-18,4 %
|
18,4-18,5 %
|
18,5 %
|
|
Factor de Llenado
(FF)
|
78,17 %
|
78,25 %
|
78,3 %
|
78,51 %
|
78,5 %
|
78,59 %
|
78,7 %
|
78,79 %
|
78,9 %
|
78,83 %
|
|
Características Térmicas
|
|
Coeficiente de Temperatura de Pmax
|
-0,406 %/˚C
|
Coeficiente de Temperatura de Voc
|
-0,308 %/˚C
|
Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,057 %/˚C
|
Dependientes de la Intensidad
|
|
PDF
|
|
Descargar pdf del Fabricante
|
|