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No. de Modelo
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DMTD3B157-210 4,74
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DMTD3B157-210 4,76
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DMTD3B157-210 4,79
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DMTD3B157-210 4,81
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DMTD3B157-210 4,84
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DMTD3B157-210 4,86
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DMTD3B157-210 4,89
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DMTD3B157-210 4,91
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DMTD3B157-210 4,93
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Características del Producto
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Tecnología células
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Monocristalino
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Dimensiones
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156,75×156,75 mm
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Diagonal
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210±0,5 mm
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Espesor de Celda
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220 ± 20 µm
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Superficie Frontal (-)
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Núm. de Barras Colectoras
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3
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Ancho de la Barra Colectora
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1,4 mm
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Material de la Barra Colectora
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Plata
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Núm. De Puntos de Soldadura
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3
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Ancho del Punto de Soldadura
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2 mm
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Material del Punto de Soldadura
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Plata
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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4,74 W
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4,76 W
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4,79 W
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4,81 W
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4,84 W
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4,86 W
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4,89 W
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4,91 W
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4,93 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,537 V
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0,538 V
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0,539 V
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0,54 V
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0,541 V
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0,542 V
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0,543 V
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0,543 V
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0,544 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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8,826 A
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8,847 A
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8,886 A
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8,907 A
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8,946 A
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8,967 A
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9,005 A
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9,042 A
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9,063 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,64 V
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0,641 V
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0,642 V
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0,643 V
|
0,643 V
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0,644 V
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0,644 V
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0,645 V
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0,645 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
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9,339 A
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9,353 A
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9,397 A
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9,41 A
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9,456 A
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9,479 A
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9,505 A
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9,527 A
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9,554 A
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Eficiencia de la Célula
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19,4-19,5 %
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19,5-19,6 %
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19,6-19,7 %
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19,7-19,8 %
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19,8-19,9 %
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19,9-20 %
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20-20,1 %
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20,1-20,2 %
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20,2 %
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Factor de Llenado
(FF)
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79,3 %
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79,39 %
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79,39 %
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79,49 %
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79,6 %
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79,62 %
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79,88 %
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79,9 %
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80,01 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
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-0,42 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
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-0,32 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
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0,043 %/˚C
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Dependientes de la Intensidad
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PDF
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Descargar pdf del Fabricante
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