No. de Modelo
|
WB M6-4H 4,838
|
WB M6-4H 4,886
|
WB M6-4H 5,033
|
WB M6-4H 5,082
|
WB M6-4H 5,131
|
WB M6-4H 4,935
|
WB M6-4H 4,984
|
|
Características del Producto
|
|
Tecnología células
|
Monocristalino
|
Dimensiones
|
156×156 mm
|
Diagonal
|
210 mm
|
Espesor de Celda
|
200 ± 30 µm
|
Superficie Frontal (-)
|
|
Núm. de Barras Colectoras
|
4
|
Ancho de la Barra Colectora
|
1 mm
|
Material de la Barra Colectora
|
Plata
|
Capa Anti Reflectante
|
Nitruro de Silicio
|
Superficie Posterior (+)
|
|
Núm. De Puntos de Soldadura
|
4
|
Ancho del Punto de Soldadura
|
2,1 mm
|
Material del Punto de Soldadura
|
Plata
|
Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
|
Aluminio
|
Características Eléctricas en STC
|
|
Potencia Máxima
(Pmax)
|
4,838 W
|
4,886 W
|
5,033 W
|
5,082 W
|
5,131 W
|
7,935 W
|
7,984 W
|
|
Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
|
0,541 V
|
0,543 V
|
0,549 V
|
0,551 V
|
0,553 V
|
0,545 V
|
0,547 V
|
|
Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
|
8,942 A
|
8,997 A
|
9,162 A
|
9,217 A
|
9,272 A
|
9,052 A
|
9,107 A
|
|
Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
|
0,651 V
|
0,653 V
|
0,661 V
|
0,664 V
|
0,666 V
|
0,656 V
|
0,658 V
|
|
Corriente de cortocircuito
(Isc)
|
9,443 A
|
9,494 A
|
9,646 A
|
9,697 A
|
9,748 A
|
9,544 A
|
9,595 A
|
|
Eficiencia de la Célula
|
19,8 %
|
20 %
|
20,6 %
|
20,8 %
|
21 %
|
20,2 %
|
20,4 %
|
|
Factor de Llenado
(FF)
|
78,69 %
|
78,8 %
|
78,89 %
|
78,87 %
|
78,98 %
|
78,8 %
|
78,9 %
|
|
Características Térmicas
|
|
Coeficiente de Temperatura de Pmax
|
-0,4 %/˚C
|
Dependientes de la Intensidad
|
|
PDF
|
|
Descargar pdf del Fabricante
|
|