Mono 3 Bus Bars

Mono 3 Bus Bars

Sino-American Silicon Products Inc.
Tipo de Células: Monocristalino
Gama de Potencia: 4,36~4,65 Wp
Región: Taiwan Taiwan
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Nota: Su Consulta se enviará directamente a Sino-American Silicon Products Inc..

Producto Alternativo

AV-158.75M

Allesun New Energy
Desde €0,146 / Wp
  • Potencia Máxima: 5,22 W
  • Tipo de Células: Monocristalino
  • Dimensiones: 158,75×158,75 mm
  • Diagonal: --
  • Espesor de Celda: 180 µm

Características del Producto

No. de Modelo
Mono 3 Bus Bar 4,36 Mono 3 Bus Bar 4,38 Mono 3 Bus Bar 4,41 Mono 3 Bus Bar 4,43 Mono 3 Bus Bar 4,46 Mono 3 Bus Bar 4,48 Mono 3 Bus Bar 4,5 Mono 3 Bus Bar 4,53 Mono 3 Bus Bar 4,55 Mono 3 Bus Bar 4,58 Mono 3 Bus Bar 4,60 Mono 3 Bus Bar 4,62 Mono 3 Bus Bar 4,65
Características del Producto  
Tecnología células Monocristalino
Dimensiones 156×156 mm
Diagonal 200±0,5 mm
Espesor de Celda 180/200 ± 30 µm
Superficie Frontal (-)  
Núm. de Barras Colectoras 3
Características Eléctricas en STC  
Potencia Máxima (Pmax)
4,36 W 4,38 W 4,41 W 4,43 W 4,46 W 4,48 W 4,5 W 4,53 W 4,55 W 4,58 W 4,6 W 4,62 W 4,65 W
Tensión en el Punto de Máxima Potencia (Vmpp)
0,535 V 0,533 V 0,537 V 0,538 V 0,539 V 0,54 V 0,541 V 0,542 V 0,543 V 0,544 V 0,5445 V 0,5446 V 0,5447 V
Corriente en el punto de máxima potenci (Impp)
8,151 A 8,18 A 8,21 A 8,239 A 8,268 A 8,297 A 8,326 A 8,354 A 8,383 A 8,412 A 8,448 A 8,49 A 8,532 A
Tensión en Circuito Abierto (Voc)
0,634 V 0,635 V 0,636 V 0,637 V 0,638 V 0,639 V 0,64 V 0,6405 V 0,6412 V 0,6415 V 0,6418 V 0,6421 V 0,6424 V
Corriente de cortocircuito (Isc)
8,73 A 8,75 A 8,78 A 8,8 A 8,82 A 8,84 A 8,87 A 8,9 A 8,94 A 8,98 A 9,01 A 9,04 A 9,07 A
Eficiencia de la Célula
18,2-18,3 % 18,3-18,4 % 18,4-18,5 % 18,5-18,6 % 18,6-18,7 % 18,7-18,8 % 18,8-18,9 % 18,9-19 % 19-19,1 % 19,1-19,2 % 19,2-19,3 % 19,3-19,4 % 19,4-19,5 %
Factor de Llenado (FF)
78,79 % 78,47 % 78,95 % 79,07 % 79,2 % 79,32 % 79,35 % 79,43 % 79,41 % 79,44 % 79,55 % 79,66 % 79,76 %
Características Térmicas  
Coeficiente de Temperatura de Pmax -0,408 %/˚C
Coeficiente de Temperatura de Voc -0,3251 %/˚C
Coeficiente de Temperatura de Isc 0,0484 %/˚C
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Sino-American Silicon Products Inc.

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www.saswafer.com
Taiwan
No. 8, Industrial East 2nd Road, Hsinchu Science Park, Hsinchu
Nota: Su Consulta se enviará directamente a Sino-American Silicon Products Inc..

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