No. de Modelo
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TSM64TN-Ecell 4,23
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TSM64TN-Ecell 4,28
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TSM64TN-Ecell 4,32
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TSM64TN-Ecell 4,37
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TSM64TN-Ecell 4,42
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TSM64TN-Ecell 4,47
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TSM64TN-Ecell 4,5
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TSM64TN-Ecell 4,52
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TSM64TN-Ecell 4,55
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TSM64TN-Ecell 4,57
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TSM64TN-Ecell 4,59
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TSM64TN-Ecell 4,62
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Características del Producto
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Tecnología células
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Policristalino
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Dimensiones
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156×156 mm
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Diagonal
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217 mm
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Espesor de Celda
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180/200 µm
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Superficie Frontal (-)
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Núm. de Barras Colectoras
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4
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Ancho de la Barra Colectora
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1,1±0,1 mm
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Capa Anti Reflectante
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Nitruro de Silicio
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Superficie Posterior (+)
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Núm. De Puntos de Soldadura
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4
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Ancho del Punto de Soldadura
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2,1±0,15 mm
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Superficie de la Cara Posterior
(BSF)
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Aluminio
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Características Eléctricas en STC
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Potencia Máxima
(Pmax)
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4,23 W
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4,28 W
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4,32 W
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4,37 W
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4,42 W
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4,47 W
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4,5 W
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4,52 W
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4,55 W
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4,57 W
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4,59 W
|
4,62 W
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Tensión en el Punto de Máxima Potencia
(Vmpp)
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0,523 V
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0,523 V
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0,524 V
|
0,525 V
|
0,529 V
|
0,532 V
|
0,534 V
|
0,536 V
|
0,538 V
|
0,54 V
|
0,541 V
|
0,543 V
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Corriente en el punto de máxima potenci
(Impp)
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8,117 A
|
8,17 A
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8,223 A
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8,338 A
|
8,365 A
|
8,412 A
|
8,426 A
|
8,441 A
|
8,456 A
|
8,471 A
|
8,49 A
|
8,509 A
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Tensión en Circuito Abierto
(Voc)
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0,624 V
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0,626 V
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0,627 V
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0,628 V
|
0,629 V
|
0,63 V
|
0,631 V
|
0,633 V
|
0,635 V
|
0,636 V
|
0,638 V
|
0,64 V
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Corriente de cortocircuito
(Isc)
|
8,582 A
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8,637 A
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8,692 A
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8,817 A
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8,836 A
|
8,892 A
|
8,908 A
|
8,924 A
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8,941 A
|
8,957 A
|
8,973 A
|
8,989 A
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Eficiencia de la Célula
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17,2 %
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17,4 %
|
17,6 %
|
17,8 %
|
18 %
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18,2 %
|
18,3 %
|
18,4 %
|
18,5 %
|
18,6 %
|
18,7 %
|
18,8 %
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Factor de Llenado
(FF)
|
79,27 %
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79,03 %
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79,06 %
|
79,06 %
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79,62 %
|
79,89 %
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80,05 %
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80,09 %
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80,13 %
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80,3 %
|
80,23 %
|
80,31 %
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Características Térmicas
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Coeficiente de Temperatura de Pmax
|
-0,38 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Voc
|
-0,31 %/˚C
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Coeficiente de Temperatura de Isc
|
0,05 %/˚C
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PDF
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Descargar pdf del Fabricante
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